Лабораторные образцы успешно прошли первые испытания.
Источник фото: сайт ТГУ
Как сообщает пресс-служба ТГУ, диоды на основе оксида галлия, являющегося основой полупроводниковых приборов нового поколения, разработали ученые радиофизического факультета.
По словам автора проекта, сотрудника лаборатории микроэлектроники мультиспектральной квантовой интроскопии Центра «ПТМ» Никиты Яковлева, оксид галлия представляет собой четвертое поколение полупроводников, которые обладают устойчивостью к высокому напряжению, низким расходом энергии и меньшим размером. В настоящее время лидером в части разработки подобных устройств является Китай, при этом профильные исследования проводятся и в России.
В вузе отметили, что готовые диоды могут быть использованы для производства энергоэффективных зарядных устройств, высокомощных блоков питания, схем управления электродвигателями автомобилей и в другой силовой электронике.
Владимир Путин
Президент России
Экономическая динамика в России в целом соответствует нашим ожиданиям. По оценке, по итогам всего текущего года рост валового внутреннего продукта будет находиться в пределах одного процента.
Президент региональной ассоциации пищевиков Владимир Кривовяз рассказал о проблемах томских производителей продуктов питания.
Дмитрий Корнев об истории томского компьютерного рынка. Часть 2 (окончание)
