В Томске разрабатывают технологию изготовления элемента памяти мемристорного типа

Источник фото: сайт ТУСУРа

Как сообщает пресс-служба ТУСУРа, специалисты вуза, имеющие значительные наработки в области тонкопленочной электроники, поставили перед собой амбициозные задачи по разработке мемристорных элементов памяти и занятии Россией лидирующих позиций в этом сегменте рынка.

– Резистивная память с произвольным доступом (Resistive Random Acces Memory, RRAM) рассматривается специалистами в области информационных технологий в качестве наилучшего кандидата на звание компьютерной памяти следующего поколения. Построение интегральных схем памяти по матричному типу позволит создать память с высокой плотностью – на порядок большей, чем у флеш-памяти, с более низкими рабочими напряжениями и высокой стабильностью параметров во времени, – пояснил руководитель проекта профессор Павел Троян.

Отмечается, что в обозримой перспективе мемристорные элементы могут составить основу технологии создания инновационных электронных устройств – энергонезависимых интегральных схем памяти, программируемых логических интегральных схем и нейронов нового поколения.

«Интерес к активно развивающейся технологии сулит рынку мемристоров крайне высокие темпы роста – по оценкам экспертов, к 2024 году рынок будет оцениваться в $8,9 млрд (к 2030 – более $93 млрд), а ежегодный прирост их производства составит более 80%. Корпорации, которые в ближайшие 5-7 лет начнут серийный выпуск таких устройств, активно готовятся к борьбе за спрос потребителей», – утверждается в сообщении вуза.