Химики Томского госуниверситета разработали технологии для развития отечественной микроэлектроники — 18.02.2025
18.02.2025
Текст: Степан Воробей
Производство двух высокочистых соединений запущено на площадке ИХТЦ.
Фото предоставлено ИХТЦ ТГУ
Как сообщает пресс-служба вуза, Инжиниринговый химико-технологический центр (ИХТЦ) ТГУ начал выпуск двух высокочистых соединений для микроэлектроники: бромистого водорода и тетракис(диметиламино)титана (TDMAT).
– Бромистый водород применяется для очистки поверхности кремниевых пластин, служащих основой для интегральных микросхем, – поясняет руководитель проекта, директор Инжинирингового центра высокочистых веществ и материалов микроэлектроники ТГУ, профессор Виктор Сачков.
Разработанная в 2023-2024 годах технология использует исключительно отечественные реагенты. Первые партии прошли испытания на российских предприятиях микроэлектронной отрасли.
Технология TDMAT необходима для химического осаждения пленок нитрида титана при производстве полупроводников. Это соединение востребовано производителями изотопов, оптики и конструкционных материалов.
По словам Сачкова, внедрение разработанных в ТГУ технологий выпуска бромистого водорода и TDMAT электронного качества будет напрямую способствовать появлению качественной российской электроники и ее импортонезависимости.
